Вы здесь

В НИЯУ МИФИ предложили новый способ сварки диэлектриков

В НИЯУ МИФИ предложили новый способ сварки диэлектриков

В НИЯУ МИФИ на кафедре "Микро- и наноэлектроника" в качестве альтернативы существующим методам был предложен новый способ сварки диэлектрических материалов.

Как сообщается в материалах НИЯУ МИФИ, суть нового способа сварки сводится к осуществлению глубокой диффузии металлического покрытия, напыленного на поверхность одного из образцов, в соединяемые диэлектрические материалы. Диффузия в месте контакта соединяемых материалов осуществляется путем переноса частиц металлического покрытия в диэлектрические материалы под воздействием сильного электрического поля. Для этого сварка проводится в два этапа с изменением полярности электродов.

Сотрудники кафедры №27 провели исследование процесса сварки двух ситалловых пластин разработанным способом. При этом использовалось металлическое алюминиевое покрытие толщиной около 100 нм, напыляемое на поверхность пластины магнетронным распылением. Формирование сварного соединения проводилось при подаче на электроды напряжения 5 кВ.

В процессе исследований выявлено, что для получения надежного соединения перед напылением металлического покрытия сначала необходимо проводить химическую обработку пластин, а затем ионную очистку. Процессы диффузии необходимо проводить в вакууме при давлении не более 10-5 Торр. При этом соединяемые материалы следует предварительно нагревать. Температура нагрева подбирается в зависимости от свариваемых материалов и может составлять 100-400 °С.

Проведенные испытания выявили следующие преимущества разработанного способа перед существующими аналогами: возможность сваривать образцы малого размера (сварены образцы габаритным размером 2х2 мм), компактность сварного соединения (сварной шов не превышает толщины металлического покрытия), за счет глубокой диффузии повышается надежность соединения. Также новая технология сравнительно проста и является групповой.

Особенностью созданного метода является необходимость тщательного подбора технологических режимов для каждого свариваемого материала в отдельности. Кроме того, в современных условиях развития интегральных схем дальнейшая миниатюризация элементов ИМС сопряжена со значительными технологическими сложностями, поэтому большой интерес представляет 3-х мерная компоновка ИМС. Новый способ позволит соединять между собой отдельные части схемы, полученные на полупроводниковых подложках.

Категория: 
Сварка

Добавить комментарий